| Forma | Anel |
|---|---|
| Matéria | Refractaridade, eficiência elevada, poder superior |
| Certificação | CE, ISO9001, ROSH |
| Detalhes da embalagem | caso da exportação |
| Tempo de entrega | 3-7 dias |
| Nome do produto | Elemento cerâmico Piezo |
|---|---|
| Tamanho | 15x6x3 P8 |
| Forma | Anel dado forma |
| Fator de qualidade Qm | ≥800 |
| Kr do módulo do acoplamento (%) | ≥45 |
| Nome do produto | Materiais cerâmicos piezoelétricos |
|---|---|
| Forma | Anel dado forma |
| Campo fraco Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedância ZM do nance de Reso (Ω) | ≤15 |
| Tipo | Cerâmica piezoelétrica |
|---|---|
| Aplicação | Aplicação ultrassônica |
| Forma | redondo, anel ou tubo |
| Padrão | CE ROSH TUV |
| Materiais | P4, P8 ou P5 etc. |
| Nome do produto | discos cerâmicos piezoeléctricos |
|---|---|
| Dimensão (milímetros) | Φ10xΦ5x2 |
| Capacidade C (PF) | 240±10% |
| Campo fraco Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Nome do produto | Elemento piezoeléctrico |
|---|---|
| Use | indústria |
| Características | longa vida |
| Detalhes da embalagem | embalagem normal |
| Tempo de entrega | 30 DIAS |
| Nome do produto | Materiais cerâmicos piezoelétricos |
|---|---|
| Forma | Anel dado forma |
| Campo fraco Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedância ZM do nance de Reso (Ω) | ≤15 |
| Detalhes da embalagem | caso da exportação |
|---|---|
| Tempo de entrega | 3-7 dias |
| Termos de pagamento | T / T, Western Union |
| Habilidade da fonte | 1-5000 |
| Lugar de origem | China |
| Material | P4 ou P8 |
|---|---|
| Personalizado | Como os pedidos do cliente |
| Forma | círculo, anel, borda da onda, tubo |
| Certificação | CE, ROHS, ISO9001 |
| Detalhes da embalagem | embalagem normal |
| Nome do produto | Materiais cerâmicos piezoelétricos |
|---|---|
| Forma | Anel dado forma |
| Campo fraco Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedância ZM do nance de Reso (Ω) | ≤15 |