| Nome do produto | Materiais cerâmicos piezoelétricos |
|---|---|
| Forma | Anel dado forma |
| Campo fraco Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedância ZM do nance de Reso (Ω) | ≤15 |
| Detalhes da embalagem | embalagem normal |
|---|---|
| Tempo de entrega | 30 DIAS |
| Habilidade da fonte | mês de 1000PCS +per |
| Lugar de origem | CN |
| Marca | CCWY |
| Nome do produto | Elemento cerâmico Piezo |
|---|---|
| Tamanho | 15x6x3 P8 |
| Forma | Anel dado forma |
| Fator de qualidade Qm | ≥800 |
| Kr do módulo do acoplamento (%) | ≥45 |
| Detalhes da embalagem | embalagem normal |
|---|---|
| Tempo de entrega | 30 DIAS |
| Habilidade da fonte | mês de 1000PCS +per |
| Lugar de origem | CN |
| Marca | CCWY |
| Material | P4 ou P8 |
|---|---|
| Personalizado | Como os pedidos do cliente |
| Forma | círculo, anel, borda da onda, tubo |
| Certificação | CE, ROHS, ISO9001 |
| Detalhes da embalagem | embalagem normal |
| Material | P4 ou P8 |
|---|---|
| Personalizado | Como os pedidos do cliente |
| Forma | círculo, anel, borda da onda, tubo |
| Certificação | CE, ROHS, ISO9001 |
| Detalhes da embalagem | embalagem normal |
| Nome do produto | Materiais cerâmicos piezoelétricos |
|---|---|
| Forma | Anel dado forma |
| Campo fraco Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedância ZM do nance de Reso (Ω) | ≤15 |
| Nome do produto | Materiais cerâmicos piezoelétricos |
|---|---|
| Forma | Anel dado forma |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedância ZM do nance de Reso (Ω) | ≤15 |
| Fator de qualidade Qm | ≥800 |
| Nome do produto | Materiais cerâmicos piezoelétricos |
|---|---|
| Forma | Anel dado forma |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedância ZM do nance de Reso (Ω) | ≤15 |
| Fator de qualidade Qm | ≥800 |
| Nome do produto | Materiais cerâmicos piezoelétricos |
|---|---|
| Forma | Anel dado forma |
| Campo fraco Dissipatio Tgδ (12v) | ≤0.5% |
| Δ forte do ationTg de Dissip do campo (400v) | ≤1.0% |
| Impedância ZM do nance de Reso (Ω) | ≤15 |